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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IDH08G65C5XKSA1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IDH08G65C5XKSA1

Descripción DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
Descripción ampliada Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos IDH08G65C5
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Producto destacado Solid State RF Powered Oven Solution
Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie thinQ!™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo diodo Schottky, carburo de silicio
Voltaje - Inverso (Vr) (máx.) 650 V
Corriente - Rectificada promedio (Io) 8 A (CC)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.7 V a 8 A
Velocidad Sin tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr 280 µA a 650 V
Capacitancia según Vr, F 250 pF a 1 V, 1 MHz
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-2
Temperatura de funcionamiento - acoplamiento -55°C ~ 175°C
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IDH08G65C5
IDH08G65C5-ND
SP000925204

16:03:38 3/23/2017

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