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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IDH08G65C5-ND
Cantidad disponible 361
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IDH08G65C5

Descripción Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IDH08G65C5
Producto destacado Solid State RF Powered Oven Solution
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Diodos - Rectificadores
- Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie thinQ!™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo diodo Schottky, carburo de silicio
Voltaje - Inverso (Vr) (máx.) 650 V
Corriente - Rectificada promedio (Io) 8 A (CC)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.7 V a 8 A
Velocidad Sin tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr 280 µA a 650 V
Capacitancia según Vr, F 250 pF a 1 V, 1 MHz
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-2
Temperatura de funcionamiento - acoplamiento -55°C ~ 175°C
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IDH08G65C5XKSA1
SP000925204

06:42:27 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.55000 4.55
10 4.08600 40.86
100 3.34820 334.82
500 2.85022 1,425.11
1,000 2.40380 2,403.80

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