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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRAUIRFB8409-ND
Cantidad disponible 601
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

AUIRFB8409

Descripción MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos AUIRF(B,S,SL)8409
Módulos de capacitación sobre el producto Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Producto destacado 40 V Automotive-Qualified COOLiRFET™ MOSFET
Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 195 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 450 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 14240pF a 25V
Potencia máxima 375 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres IRAUIRFB8409
SP001521544

17:49:56 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.48000 4.48
10 4.02200 40.22
100 3.29550 329.55
500 2.80540 1,402.70
1,000 2.36600 2,366.00

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