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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1242-1126-ND
Cantidad disponible 296
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

GB01SLT12-252

Descripción DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Descripción ampliada Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Surface Mount TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos GB01SLT12-252
Recursos de diseño GB01SLT12-252 Spice Model
Producto destacado Silicon Carbide Power Schottky Diodes
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo diodo Schottky, carburo de silicio
Voltaje - Inverso (Vr) (máx.) 1200 V (1.2 kV)
Corriente - Rectificada promedio (Io) 1 A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.8 V a 1 A
Velocidad Sin tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr 2 µA a 1200 V
Capacitancia según Vr, F 69 pF a 1 V, 1 MHz
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252
Temperatura de funcionamiento - acoplamiento -55°C ~ 175°C
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres 1242-1126
GB01SLT12252

15:03:10 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.54000 3.54
10 3.15600 31.56
25 2.84080 71.02
100 2.58810 258.81
250 2.33564 583.91
500 2.09576 1,047.88
1,000 1.76750 1,767.50
2,500 1.67912 4,197.81
5,000 1.61600 8,080.00

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