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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1242-1318-ND
Cantidad disponible 386
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

GA10SICP12-263

Descripción TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Descripción ampliada 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos GA10SICP12-263
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET -
Tecnología SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1403 pF a 800 V
Vgs (máx.) 3.5 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 10 A
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK (7-conductores)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, D²Pak (7 conductores + lengüeta), TO-263CA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1242-1318
GA10SICP12-263-ND

00:50:30 1/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 39.49000 39.49
10 36.52900 365.29
25 33.56720 839.18
100 31.19790 3,119.79
250 28.63096 7,157.74

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