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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1242-1186-ND
Cantidad disponible 798
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

GA10JT12-263

Descripción TRANS SJT 1200V 25A
Descripción ampliada 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos GA10JT12-263
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Categorías
Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET -
Tecnología SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1403 pF a 800 V
Vgs (máx.) 3.5 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 120 mOhm a 10 A
Temperatura de operación 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor -
Paquete / Caja (carcasa) -
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1242-1186
GA10JT12-220ISO
GA10JT12220ISO

23:48:19 2/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 19.95000 19.95
10 18.14000 181.40
25 16.77920 419.48
100 15.41870 1,541.87
250 14.05820 3,514.55
500 13.15122 6,575.61

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