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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLS640AFS-ND
Cantidad disponible 1,146
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLS640A

Descripción MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
Descripción ampliada N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRLS640A
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1705 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 4.9 A, 5 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres IRLS640A-ND
IRLS640AFS

03:45:22 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.57000 1.57
10 1.40600 14.06
100 1.09620 109.62
500 0.90554 452.77
1,000 0.71490 714.90

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