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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key HUF75652G3-ND
Cantidad disponible 511
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

HUF75652G3

Descripción MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 100V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos HUF75652G3
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN Plating Material 20/Dec/2007
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UltraFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 475 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7585 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 515 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 mOhm a 75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

04:18:47 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.60000 6.60
10 5.93000 59.30
100 4.85870 485.87
500 4.13614 2,068.07
1,000 3.48831 3,488.31

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