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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQU1N60CTUFS-ND
Cantidad disponible 3,373
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 40,320
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQU1N60CTU

Descripción MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQD1N60C, FQU1N60C
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 6.2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 170 pF a 25 V
Vgs (Max) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 28 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 70
Otros nombres FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS

10:49:14 1/16/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.61000 0.61
10 0.53300 5.33
100 0.40860 40.86
500 0.32300 161.50
1,000 0.25840 258.40

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