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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQU1N60CTUFS-ND
Cantidad disponible 3,423
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQU1N60CTU

Descripción MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQD1N60C, FQU1N60C
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Fairchild Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 6.2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 170 pF a 25 V
Potencia máxima 2.5 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 70
Otros nombres FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS

21:28:24 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.61000 0.61
10 0.53300 5.33
100 0.40860 40.86
500 0.32300 161.50
1,000 0.25840 258.40

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