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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF6N80C-ND
Cantidad disponible 1,017
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 67,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQPF6N80C

Descripción MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
Descripción ampliada N-Channel 800V 5.5A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQP(F)6N80C
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 26/June/2007
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1310 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 51 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 Ohm a 2.75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

18:54:25 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.53000 1.53
10 1.36400 13.64
100 1.06330 106.33
500 0.87838 439.19
1,000 0.69345 693.45

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