Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQPF10N20CFS-ND
Cantidad disponible 1,386
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQPF10N20C

Descripción MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
Descripción ampliada N-Channel 200V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQP10N20C, FQPF10N20C
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 38 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 360 mOhm a 4.75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres FQPF10N20C-ND
FQPF10N20CFS

16:52:58 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.86000 0.86
10 0.76800 7.68
100 0.59920 59.92
500 0.49496 247.48
1,000 0.39075 390.75

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario