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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP65N06FS-ND
Cantidad disponible 994
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 3,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQP65N06

Descripción MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 60V 65A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQP65N06
TO220B03 Pkg Drawing
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Ensamble/origen de PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 65 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2410 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 32.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres FQP65N06-ND
FQP65N06FS

04:42:58 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.92000 1.92
10 1.72700 17.27
100 1.38820 138.82
500 1.14054 570.27
1,000 0.94502 945.02

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