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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP3N80CFS-ND
Cantidad disponible 1,412
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 4,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQP3N80C

Descripción MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 800V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQP3N80C, FQPF3N80C
TO220B03 Pkg Drawing
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 26/June/2007
Ensamble/origen de PCN Additional MFG Site 3/Dec/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 800 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 705 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 107 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 Ohm a 1.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres FQP3N80C-ND
FQP3N80CFS

23:11:30 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.10000 1.10
10 0.98400 9.84
100 0.76680 76.68
500 0.63346 316.73
1,000 0.50010 500.10

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