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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP13N10L-ND
Cantidad disponible 907
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQP13N10L

Descripción MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 100V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQP13N10L
TO220B03 Pkg Drawing
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Ensamble/origen de PCN Description Chg 15/Feb/2016
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 520 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 65 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 6.4 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

14:58:17 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.81000 0.81
10 0.71300 7.13
100 0.54700 54.70
500 0.43240 216.20
1,000 0.34592 345.92

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