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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQP12P20-ND
Cantidad disponible 1,074
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQP12P20

Descripción MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
Descripción ampliada P-Channel 200V 11.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQP12P20
TO220B03 Pkg Drawing
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 120 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 470 mOhm a 5.75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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  • Precio unitario 5.32000
  • IXTP26P20P-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

08:47:41 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.59000 1.59
10 1.42400 14.24
100 1.11040 111.04
500 0.91732 458.66
1,000 0.72420 724.20

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