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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQNL2N50BTACT-ND
Cantidad disponible 5,140
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 20,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQNL2N50BTA

Descripción MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
Descripción ampliada N-Channel 500V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQNL2N50B
TO-92L Ammo Tape Data
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 350 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 230 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.3 Ohm a 175 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-226-3, Cuerpo largo TO-92-3 (conductores formados)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres FQNL2N50BTACT

07:36:24 2/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.63000 0.63
10 0.54300 5.43
100 0.40520 40.52
500 0.31838 159.19
1,000 0.24602 246.02

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y caja ? : FQNL2N50BTATB-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
    20,000 - Stock en fábrica ?
  • Precio unitario: 0.21778
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