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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQH8N100C-ND
Cantidad disponible 495
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQH8N100C

Descripción MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQH8N100C
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3220 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 225 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.45 Ohm a 4 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

05:36:19 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.65000 4.65
10 4.17600 41.76
100 3.42180 342.18
500 2.91290 1,456.45
1,000 2.45666 2,456.66

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