Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQH8N100C-ND
Cantidad disponible 521
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 26,550
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQH8N100C

Descripción MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQH8N100C
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

ON Semiconductor/Fairchild

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.45 Ohm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 70 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3220 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

10:49:27 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.43000 4.43
10 3.97700 39.77
100 3.25880 325.88
500 2.77420 1,387.10
1,000 2.33968 2,339.68

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario