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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQA8N100CFS-ND
Cantidad disponible 245
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQA8N100C

Descripción MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 17 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQA8N100C
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 26/June/2007
Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1000 V (1 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3220 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 225 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.45 Ohm a 4 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres FQA8N100C-ND
FQA8N100CFS

08:02:30 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.22000 3.22
10 2.89200 28.92
100 2.36980 236.98
500 2.01734 1,008.67
1,000 1.70138 1,701.38

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