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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQA55N25-ND
Cantidad disponible 293
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 9,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQA55N25

Descripción MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
Descripción ampliada N-Channel 250V 55A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQA55N25
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 250 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 55 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6250 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 310 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 27.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

20:48:36 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.30000 5.30
10 4.75900 47.59
100 3.89880 389.88
500 3.31900 1,659.50
1,000 2.79916 2,799.16

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