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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQA30N40-ND
Cantidad disponible 242
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQA30N40

Descripción MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
Descripción ampliada N-Channel 400V 30A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQA30N40
Módulos de capacitación sobre el producto High Voltage Switches for Power Processing
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 400 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4400 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 290 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 140 mOhm a 15 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

04:17:47 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.17000 5.17
10 4.64300 46.43
100 3.80390 380.39
500 3.23816 1,619.08
1,000 2.73098 2,730.98

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