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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FQA11N90C_F109-ND
Cantidad disponible 112
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FQA11N90C_F109

Descripción MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FQA11N90C_F109
Diseño/especificación de PCN Passivation Material 26/June/2007
Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Fairchild Semiconductor

Serie QFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.1 Ohm a 5.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 80 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3290 pF a 25 V
Potencia máxima 300 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres FQA11N90CF109

19:52:59 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.13000 4.13
10 3.71400 37.14
100 3.04260 304.26
500 2.59010 1,295.05
1,000 2.18442 2,184.42

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