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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP80N06-ND
Cantidad disponible 921
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP80N06

Descripción MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 60V 80A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDP80N06
TO220B03 Pkg Drawing
Ensamble/origen de PCN Description Chg 15/Feb/2016
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 74 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3190 pF a 25 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 176 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10 mOhm a 40 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

18:08:34 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.59000 1.59
10 1.42500 14.25
100 1.11110 111.11
500 0.91790 458.95
1,000 0.72465 724.65

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