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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP61N20-ND
Cantidad disponible 1,759
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 33,600
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP61N20

Descripción MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 200V 61A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDP61N20
TO220B03 Pkg Drawing
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Description Chg 15/Feb/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 61 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3380 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 417 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 30.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

11:57:47 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.78000 2.78
10 2.50100 25.01
100 2.01020 201.02
500 1.65154 825.77
1,000 1.36842 1,368.42

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