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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP18N20F-ND
Cantidad disponible 3,358
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 2,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP18N20F

Descripción MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 200V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1180 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 145 mOhm a 9 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

16:50:50 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.28000 1.28
10 1.14000 11.40
100 0.88920 88.92
500 0.73454 367.27
1,000 0.57990 579.90

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