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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP047N10-ND
Cantidad disponible 10,485
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP047N10

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDP047N10
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN SOA curve 01/Jul/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

ON Semiconductor/Fairchild

Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.7 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 210 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 15265 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

21:36:53 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.87000 4.87
10 4.37300 43.73
100 3.58250 358.25
500 3.04976 1,524.88
1,000 2.57208 2,572.08

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