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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP047N10-ND
Cantidad disponible 10,485
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP047N10

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDP047N10
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN SOA curve 01/Jul/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 210 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15265 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.7 mOhm a 75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

15:12:57 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.11000 5.11
10 4.59100 45.91
100 3.76170 376.17
500 3.20224 1,601.12
1,000 2.70068 2,700.68

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