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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDP036N10A-ND
Cantidad disponible 322
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDP036N10A

Descripción MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
Descripción ampliada N-Channel 100V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDP036N10A
TO220B03 Pkg Drawing
Diseño/especificación de PCN FDP036N10A Epoxy 29/May/2013
Ensamble/origen de PCN Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie PowerTrench®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 116 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7295 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 333 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.6 mOhm a 75 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

18:12:13 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.29000 5.29
10 4.74800 47.48
100 3.89030 389.03
500 3.31170 1,655.85
1,000 2.79300 2,793.00

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