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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA59N30-ND
Cantidad disponible 1,090
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDA59N30

Descripción MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
Descripción ampliada N-Channel 300V 59A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDA59N30
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 300 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 59 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4670 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 56 mOhm a 29.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

19:54:10 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.93000 3.93
10 3.52500 35.25
100 2.88850 288.85
500 2.45896 1,229.48
1,000 2.07382 2,073.82

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