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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA38N30-ND
Cantidad disponible 2,800
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDA38N30

Descripción MOSFET N-CH 300V TO-3
Descripción ampliada N-Channel 300V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDA38N30
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015
Embalaje de PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 300 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 312 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 85 mOhm a 19 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

10:25:14 1/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.45000 3.45
10 3.10300 31.03
100 2.54200 254.20
500 2.16398 1,081.99
1,000 1.82504 1,825.04

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