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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDA28N50F-ND
Cantidad disponible 421
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDA28N50F

Descripción MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
Descripción ampliada N-Channel 500V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDA28N50F
Diseño/especificación de PCN Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014
Ensamble/origen de PCN Wafer Fabrication 04/Feb/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 105 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5387 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 310 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 175 mOhm a 14 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PN
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

14:32:53 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.00000 6.00
10 5.39200 53.92
100 4.41770 441.77
500 3.76070 1,880.35
1,000 3.17167 3,171.67

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