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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 917-EPC2103ENGRCT-ND
Cantidad disponible 2,011
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

EPC2103ENGRT

Descripción TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos EPC2103 Preliminary Datasheet
Notas de aplicación Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Módulos de capacitación sobre el producto eGaN® Integrated GaN Power
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

EPC

Serie eGaN®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET 2 canales N (medio puente)
Característica de FET GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.5 mOhm a 20 A, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 7 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.5 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7600 pF a 40 V
Potencia máxima -
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Molde
Paquete del dispositivo del proveedor Molde
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 917-1146-1
917-1146-1-ND

17:44:04 2/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.92000 12.92
10 11.74200 117.42
25 10.86120 271.53
100 9.98070 998.07
250 9.10004 2,275.01

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 917-EPC2103ENGRTR-ND
  • Cantidad mínima: 500
  • Cantidad disponible: 2,000 - Inmediata
  • Precio unitario: 8.26500
  • Digi-Reel® ? : 917-EPC2103ENGRDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,011 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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