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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C3M0120090D-ND
Cantidad disponible 751
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

C3M0120090D

Descripción 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos C3M0120090D
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie C3M™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 155 mOhm a 15 A, 15 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 3 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 17.3 nC a 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 350 pF a 600 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

19:11:10 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.43000 6.43
100 6.18000 618.00
500 6.02500 3,012.50

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