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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C2M1000170D-ND
Cantidad disponible 683
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

C2M1000170D

Descripción MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos C2M1000170D
Módulos de capacitación sobre el producto Second-Generation C2M1000170D Silicon Carbide MOSFET
Producto destacado Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
SpeedFit™ Online Simulator
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1700 V (1.7 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.9 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.1 Ohm a 2 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 13 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 191 pF a 1000 V
Potencia máxima 69 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
 
Para usar con
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

15:52:05 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.25000 5.25
100 5.05000 505.00
500 4.92500 2,462.50

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