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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C2M0025120D-ND
Cantidad disponible 1,442
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

C2M0025120D

Descripción MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 90A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos C2M0025120D
Producto destacado Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Categorías
Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 10 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 161 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2788 pF a 1000 V
Vgs (máx.) +25 V, -10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 463 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 34 mOhm a 50 A, 20 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Envase estándar ? 30

01:22:44 2/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 69.80000 69.80
100 67.12060 6,712.06

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