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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1182-5-ND
Cantidad disponible 4,388
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

AOU3N60

Descripción MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 2.5A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos AO(D,U)3N60
TO251 Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 370 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 56.8 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5 Ohm a 1.25 A, 10 V
Temperatura de operación -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 4,000
Otros nombres 785-1182-5

11:49:09 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.70000 0.70
10 0.58800 5.88
25 0.51440 12.86
100 0.44100 44.10
250 0.38220 95.55
500 0.32340 161.70
1,000 0.24990 249.90
2,500 0.22785 569.63
5,000 0.21315 1,065.75

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