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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1176-5-ND
Cantidad disponible 2,105
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

AOU3N50

Descripción MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 500V 2.8A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos AO(D,U)3N50
TO251A Pkg Drawing
TO251 Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Ensamble/origen de PCN Additional Wafer Supplier 20/Aug/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 331 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 57 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 1.5 A, 10 V
Temperatura de operación -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 4,000
Otros nombres 785-1176-5

21:16:49 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.57000 0.57
10 0.48000 4.80
25 0.42000 10.50
100 0.36000 36.00
250 0.31200 78.00
500 0.26400 132.00
1,000 0.20400 204.00
2,500 0.18600 465.00
5,000 0.17400 870.00

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