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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1723-5-ND
Cantidad disponible 2,997
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

AOI2614

Descripción MOSFET NCH 60V 35A TO251A
Descripción ampliada N-Channel 60V 13A (Ta), 35A (Tc) 6.2W (Ta), 60W (Tc) Through Hole TO-251A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos AOI2614
TO251A Pkg Drawing
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Ta), 35 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 30 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1340 pF a 30 V
Vgs (Max) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 6.2 W (Ta), 60 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16 mOhm a 20 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251A
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores de tope, IPak
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 70
Otros nombres 785-1723-5

01:51:07 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.69000 0.69
10 0.60600 6.06
25 0.53640 13.41
100 0.46710 46.71
250 0.40656 101.64
500 0.34600 173.00
1,000 0.27680 276.80
2,500 0.25085 627.13
5,000 0.23355 1,167.75

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