• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFZ46NS-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFZ46NS

Descripción MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 55V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / No cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Reemplazo RoHS
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
IRFZ46NSPBF-ND IRFZ46NSPBF Infineon Technologies Tubo ? 0
Llamar 0  Agotado ?
Documentos y medios
Hojas de datos IRFZ46NS/NL
Recursos de diseño IRFZ46NS Saber Model
IRFZ46NS Spice Model
Producto destacado Data Processing Systems
Obsolescencia PCN/ EOL EOL122B 02/Oct/2007
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 55 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 53 A (Tc)
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1696 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8 W (Ta), 107 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 16.5 mOhm a 28 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFZ46NS

01:01:35 2/21/2017

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