• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key BUZ73AIN-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

BUZ73A

Descripción MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos BUZ73A
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

FET - Simples

Fabricante

Infineon Technologies

Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.5 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 4.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 530 pF a 25 V
Potencia máxima 40 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres BUZ73A-ND
BUZ73AIN
BUZ73AX
BUZ73AXK
SP000011373

08:19:37 8/25/2016

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