MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR

Vishay/Siliconix

Explore the Vishay/Siliconix 30 V Generation IV TrenchFET and PowerPAIR MOSFETs, and provide a review of the benefits and advantages of these offerings. There will be a discussion of how the Gen IV TrenchFET and SKYFET reduce power loss, improving efficiency and increasing power density.

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ImageNúmero de pieza del fabricanteDescripciónTipo FETCaracterística de FETCantidad disponibleComprar ahora
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8SIRA00DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico3976 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWRSIS476DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWRMOSFET canal N, óxido metálicoEstándar2680 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8SIRA14DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico6501 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8SISA04DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar2213 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8SIR818DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico3031 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8SISA18ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico3816 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8SIRA18DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico3028 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8SIRA12DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico5738 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8SIRA10DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar4137 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8SIRA34DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico2836 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8SISA14DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar1709 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8SISA12ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar2355 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8SISA10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico3175 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8SIRA04DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar1578 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8SIRA06DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar2374 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8SISA16DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico6000 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8SIRA16DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico6000 - Inmediata
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIRSIZ300DT-T1-GE3MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR2 canales N (medio puente)Compuerta de nivel lógico1952 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8SIR330DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar2963 - Inmediata
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIRSIZ914DT-T1-GE3MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR2 canales N (medio puente)Compuerta de nivel lógico2980 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8SIS322DNT-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico2432 - Inmediata
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8SIRA02DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoEstándar705 - Inmediata
MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23SIZ340DT-T1-GE3MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-232 canales N (medio puente)Estándar0
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRSIZ916DT-T1-GE3MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR2 canales N (medio puente)Estándar0
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8SIRA36DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET canal N, óxido metálicoCompuerta de nivel lógico0
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PTM Published on: 2014-01-30