U-MOSⅧ-H MOSFETs

Toshibas U-MOSⅧ-H are the 8th generation of high-speed trench-structure MOSFETs

Image of Toshiba Semiconductor and Storage's U-MOSⅧ-H MOSFETsToshiba's U-MOSⅧ-H are the 8th generation of high-speed trench-structure MOSFETs. U-MOSⅧ-H is a high-efficiency MOSFET series especially designed for use in the secondary side of AC-DC and DC-DC power supplies. Fabricated with the latest trench MOS process and optimized cell design, U-MOSⅧ-H achieves excellent trade-offs between on-resistance and capacitances, such as input, reverse transfer, and output capacitance. U-MOSⅧ-H will help improve the efficiency of power supplies.

Features
  • Provides significantly better trade-offs between on-resistance (Ron) and input capacitance (Ciss), compared to the previous Gen-4 (30 V to 100 V), or Gen-7 (30 V) trench MOS process
  • Offers a wide variety of drain-source voltage lineup from 30 V to 250 V
  • Provides high-avalanche ruggedness
  • Makes it possible to reduce radiation noise compared to predecessors
Applications
  • AC-DC power supplies for notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays
  • DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers

TSON Advance (3x3)

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponible
TPN30008NH,LQ datasheet linkMOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSONTPN30008NH,LQMOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON4491 - Inmediata
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SOP Advance (5x6)

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TPH8R80ANH,L1Q datasheet linkMOSFET N CH 100V 32A 8-SOPTPH8R80ANH,L1QMOSFET N CH 100V 32A 8-SOP1033 - Inmediata
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TK32E12N1,S1X datasheet linkMOSFET N CH 120V 60A TO-220TK32E12N1,S1XMOSFET N CH 120V 60A TO-220495 - Inmediata
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TK40E10N1,S1X datasheet linkMOSFET N CH 100V 90A TO220TK40E10N1,S1XMOSFET N CH 100V 90A TO220150 - Inmediata
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TK34E10N1,S1X datasheet linkMOSFET N-CH 100V 75A TO-220TK34E10N1,S1XMOSFET N-CH 100V 75A TO-22081 - Inmediata
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Publicado: 2014-04-16