Fuente de alimentación de modo de conmutación: CoolMOS™

Infineon Technologies ofrece una amplia gama de productos, incluidos los controladores de MOSFET de alto voltaje (CoolMOS™), los CI de controlador MOSFET (EiceDRIVER™) y los diodos de carburo de silicio de los CI de controlador (thinQ!™) para utilizar en diversas topologías PFC y PWM junto con los controladores de MOSFET de bajo voltaje (OptiMOS™) para una rectificación sincrónica. Con estos productos, Infineon se mantiene al día con el aumento continuo de consumo de energía y el requisito imperioso de ahorrar energía.

La nueva CoolMOS™ C7 de 600 V continúa el legado de la familia anterior, C7 de 650 V, al aportar el mejor rendimiento en su clase a las topologías de Corrección del factor de Potencia (PFC), pero, a diferencia de la C7 de 650 V, también puede alcanzar la mayor eficiencia en alto rendimiento en topologías resonantes como LLC. El mejor Ron∗A (<1Ω. mm²) del mundo permite el mejor RDS(on)/paquete en su clase, como 40 mΩ en TO-220. También, junto con los nuevos paquetes innovadores como TO-247 4pin (con concepto de fuente de detección), permite alcanzar eficiencias aun mayores a una potencia mayor a 500 W. Los valores Coss y Qg más bajos de CoolMOS™ C7 permiten aumentar la frecuencia de conmutación sin afectar la eficiencia, lo que ayuda a la densidad de potencia de sistema y los desafíos de costos al reducir el tamaño del componente magnético.

Se recomiendan para los CoolMOS™ CE de rango de potencia bajo a medio, para los SMPS CoolMOS™ P6 de mayor costo/rendimiento de energía y al igual que la serie C7 de 600 V, ambas son muy flexibles y pueden utilizarse en etapas PFC y PWM.

Para la rectificación sincrónica, la serie OptiMOS™ ofrece resistencias y capacitancias en estado encendido bajas y también puede ser utilizada con CI de controlador de compuerta EiceDRIVER™. Para etapa PFC, se recomienda C7 combinada con SiC Gen 5. Por su parte, los CI de control de Infineon admiten topologías como PFC, LLC y flyback cuasirresonante.

OptiMOS Infineon

Características para sus aplicaciones SMPS

  • Ofrece una reducción importante de pérdidas de conducción y conmutación.
  • Permite una alta densidad de potencia y eficiencia para los sistemas superiores de conversión de potencia
  • Mejor relación precio/rendimiento de su clase
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CoolMOS™ C7 de 600 V

La nueva serie CoolMOS™ C7 MOSFET de 600 V de Infineon con 50 % menos de pérdidas Eoss que CoolMOS™ CP de 600 V tiene un rendimiento similar a GaN y aporta nuevos niveles de eficiencia. C7 de 600 V puede utilizarse en etapas PFC y etapas PWM de extremo alto, lo que le ayuda a combinar y reducir el costo de sus diseños.

RDS(on) [mΩ] TO-220 TO-247 TO-247 4pin
180/185 IPP60R180C7 IPW60R180C7  
99/104 IPP60R099C7 IPW60R099C7 IPZ60R099C7
40 IPP60R040C7 IPW60R040C7 IPZ60R040C7

Especialmente en las topologías de conmutación dura como PFC e ITTF, hay pérdidas bajas debido a los valores RDS(on) y Eoss mejores de su clase, pero a diferencia de C7 de 650 V, la CoolMOS™ C7 de 600 V también tiene un buen rendimiento en las topologías de conmutación suave debido a bajos Qoss y QG . Tanto para la etapa PFC como para la PWM, los productos CoolMOS™ son la mejor opción.

Debido a los valores Coss y Qg más bajos, la serie CoolMOS™ C7 permite aumentar la frecuencia de conmutación sin afectar la eficiencia. Desde una perspectiva del sistema, esto significa densidad de potencia y ahorros de costo de BOM gracias a la utilización de componentes de electroimanes más pequeños. Pasar de 65 kHz a 130 kHz puede aportar ahorros en costos de materiales de los componentes de electroimanes de hasta un 30 %.

Además, el CoolMOS™ C7 de 600 V con sus paquetes más pequeños y valores de RDS(on) x A más bajos (como 40 mΩ en TO-220) que cualquier otro MOSFET SuperJunction aporta beneficios en escalabilidad y modularidad de los diseños, incluso para los de rango de mayor potencia, y ahorra los costos de paquete de su aplicación debido a los diseños más pequeños.

El uso de la tecnología C7 de 600 V con paquetes innovadores, como TO-247 4pin, también aporta opciones para aumentar aún más la eficiencia o para aprovechar la combinación y mantener la eficiencia del mismo modo pero ahorrando costos al aumentar el RDS(on).

Íconos de aplicaciones de 600 V

Equilibrio entre alto rendimiento y simplicidad

Con CoolMOS™ P6, Infineon amplía la cartera CoolMOS™ líder del mercado, al establecer nuevos parámetros en el segmento Superjunction en relación con precio/rendimiento. La nueva y altamente innovadora familia de productos está diseñada para permitir una mayor eficiencia del sistema mientras que el diseño sigue siendo fácil.

CoolMOS™ P6 achica la brecha entre las tecnologías que se centran en ofrecer el mejor rendimiento, como CoolMOS™ CP de alto rendimiento, y las que se concentran en facilitar aún más el uso, como CoolMOS™ C6/E6.

Los nuevos dispositivos proporcionan un alto rendimiento en topologías PFC y PWM de conmutación dura y suave en aplicaciones como servidores, rectificadores de telecomunicaciones, PC Silverbox y consolas de juegos. Además, con una cartera granular, la familia CoolMOS™ P6 ofrece la mejor proporción de precio/rendimiento de cualquier tecnología Superjunction disponible en el mercado.

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Cartera de productos CoolMOS™ P6 de 600 V

  TO-252 DPAK
TO-252 DPAK
TO-220
TO-220
TO-220 FullPAK
TO-220 FullPAK
TO-247
TO-247
600 mΩ IPD60R600P6 IPP60R600P6 IPA60R600P6  
190/210 mΩ   IPP60R190P6 IPA60R190P6 IPW60R190P6

Aplicaciones objetivo

  • Carga de compuerta reducida (Qg)
  • Vth superior
  • Buena resistencia del diodo del cuerpo
  • Rg integrado y optimizado
  • dv/dt mejorado de 50 V/ns 
  • Calidad CoolMOS™ con más de 12 años de experiencia en fabricación de la tecnología Superjunction

Características del producto

  • Eficiencia mejorada, especialmente en condiciones de carga liviana
  • Mejor eficiencia en aplicaciones de conmutación suave debido al apagado más temprano
  • Adecuado para topologías de conmutación dura y suave
  • Equilibrio optimizado entre eficiencia, simplicidad en el uso y buena capacidad de control del comportamiento de conmutación
  • Alta solidez y mejor eficiencia
  • Excelente calidad y confiabilidad

Aplicaciones

  • Etapas PFC para servidor, rectificador de telecomunicaciones, PC Silverbox, consolas de juegos
  • Etapas PWM (TTF, LLC) para servidor, rectificador de telecomunicaciones, PC Silverbox, consolas de juegos

Una nueva generación líder de la industria de MOSFET Superjunction

Al combinar la experiencia del proveedor líder de MOSFET Superjunction con innovación de primer nivel, Infineon amplía la cartera de CoolMOS™ al ofrecer la nueva serie CoolMOS™ CE de 500 V. Al ser una nueva plataforma tecnológica en el mercado que impulsa a los MOSFET de alta potencia, los nuevos dispositivos ofrecen todos los beneficios de los MOSFET Superjunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso.

En aplicaciones específicas y sensibles al precio como consumidor, PC Silverbox e iluminación, CoolMOS™ CE de 500 V ofrece la mejor relación de precio-rendimiento del mercado y cumple con los mayores estándares de eficiencia.

Al ofrecer todos los beneficios de un MOSFET Superjunction moderno, como área baja específica en resistencias en estado encendido y menor energía almacenada en capacitancia de salida, la serie CoolMOS™ CE de 500 V ofrece un diodo de cuerpo muy sólido, logra pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas y permite que las aplicaciones de conmutación sean más eficientes, compactas, livianas y frescas.

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Cartera de productos CoolMOS™ 500V CE

  TO-220 FullPAK
TO-220 FullPAK
TO-252 DPAK
TO-252 DPAK
TO-220
TO-220
TO-247
TO-247
IPAK
IPAK
950 mΩ IPA50R950CE IPD50R950CE     IPU50R950CE
800 mΩ IPA50R800CE IPD50R800CE      
650 mΩ IPA50R650CE IPD50R650CE      
500 mΩ IPA50R500CE IPD50R500CE IPP50R500CE    
380 mΩ IPA50R380CE IPD50R380CE IPP50R380CE    
280 mΩ IPA50R280CE IPD50R280CE IPP50R280CE IPW50R280CE  
190 mΩ IPA50R190CE   IPP50R190CE IPW50R190CE  

Aplicaciones objetivo

  • Menor cantidad de energía almacenada en capacitancia de salida (Eoss)
  • Alta resistencia del diodo del cuerpo
  • Carga de recuperación inversa reducida (Qrr)
  • Carga de compuerta reducida (Qg)

Características del producto

  • Fácil control del comportamiento de conmutación
  • Mejor eficiencia de carga liviana en comparación con generaciones anteriores CoolMOS™
  • Alternativa con precio atractivo en comparación con MOSFET estándares.
  • Calidad y fiabilidad destacadas de la tecnologías CoolMOS™

Aplicaciones

  • De consumo
  • Iluminación
  • PC Silverbox

Líder en el mercado, Mejor resistencia de encendido de su clase por paquete

Con la nueva serie CoolMOS™ C7 de 650 V, Infineon establece un nuevo nivel de rendimiento en aplicaciones de conmutación dura como la Corrección del factor de Potencia (PFC). Es el sucesor de la serie CP y proporciona los beneficios de la eficiencia en todo el rango de carga al equilibrar un número de parámetros clave.

¿Qué ofrece el C7?

30 % menos pérdidas de conmutación en comparación con el mejor modelo anterior en su clase, el CoolMOS™ CP para SMPS.

100 % mayor solidez que nuestro CoolMOS™ CP gracias al 100 V/ns, en lugar de 50 V/ns.

Se eligió la serie 650 V para proporcionar un margen de seguridad adicional para los diseñadores, algo que lo hace especialmente adecuado para el SMPS. La nueva serie CoolMOS™ C7 se beneficia de una experiencia en fabricación de 12 años y continúa ofreciendo la extraordinaria calidad de Infineon.

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Cartera de productos CoolMOS™ C7

  TO-263
TO-263
TO-220
TO-220
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-4
225/230 mΩ IPB65R225C7 IPP65R225C7    
45 mΩ IPB65R045C7 IPP65R045C7 IPW65R045C7 IPZ65R045C7

Características

  • Voltaje: 650 V
  • El mejor paquete revolucionario de su clase (RDS(on))
  • Menor cantidad de energía almacenada en capacitancia de salida (Eoss)
  • Baja carga de compuerta (Qg)
  • Ahorro de espacio por medio de la utilización de paquetes más pequeños o la reducción de las piezas
  • 12 años de experiencia en fabricación de tecnología Superjunction

Beneficios

  • Mejor margen de seguridad y adecuado para aplicaciones SMPS y de conversor solar
  • Pérdidas de conducción más bajas por paquete
  • Pérdidas de conmutación bajas
  • Mejor eficiencia de carga ligera
  • Mayor densidad de potencia
  • Óptima calidad CoolMOS™

Aplicaciones

  • Telecomunicaciones
  • Servidor
  • Aplicaciones solares
  • Alimentación de PC

Topologías

  • Corrección de factor de potencia (PFC)
  • Elevador solar
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