Memoria no volátil F-RAM serial

La memoria no volátil F-RAM serial de Cypress Semiconductor ofrece velocidad de escritura rápida, duración prácticamente ilimitada y consumo de energía extremadamente bajo.

Memoria no volátil F-RAM serialLas memorias F-RAM (Ram ferroeléctrica) serial de Cypress Semiconductor combina el almacenamiento de datos no volátiles con la velocidad rápida de RAM. La F-RAM serial ofrece densidades que oscilan de 4 Kb a 4 Mb, interfaces de SPI e I²C y paquetes estándares de la industria. F-RAM serial tiene tres ventajas distintivas sobre las tradicionales memorias no volátiles: rápida velocidad de escritura sin demora de grabado, resistencia prácticamente ilimitada y bajo consumo de energía.

La F-RAM serial ofrece escrituras rápidas a velocidad de interfaz completa. La F-RAM serial no tiene ninguna demora de escritura; los datos son no volátiles instantáneamente. Memoria no volátil tradicional tiene una demora de > 5 ms antes de que los datos se conviertan en no volátiles. Si se interrumpe la alimentación, los datos pendientes se pierde a menos que el sistema tenga capacidad o baterías extras para mantener el sistema encendido hasta que se almacenan los datos.

La F-RAM serial ofrece duración ilimitada de ciclos de lectura/escritura de 1014 Las memorias no volátiles tradicionales generalmente tienen menos de la duración del ciclo 106, por lo que los diseñadores del sistema se ven forzados a usar rutinas complejas para nivelar el desgaste y hasta 4 veces más densidad para prolongar la duración de estas memorias.

F-RAM serial consume tan solo 300 µA de corriente activa y 6 µA de corriente de espera. Junto con velocidades de escritura rápida, la F-RAM serial permanece activa durante cortos períodos de tiempo, por lo que propicia un consumo de energía muy bajo. Las memorias tradicionales no volátiles con demoras de escritura deben permanecer activas durante períodos prolongados de tiempo, lo que resulta en un mayor consumo energético.

Con cambios menores en el firmware, la F-RAM serial ofrece un reemplazo de EEPROM compatible con la huella y de pin a pin.

Ficha técnica: Folleto de la tecnología F-RAM™

Características Aplicaciones
  • SPI de hasta 40 MHz e I²C de 3.4 MHz
  • Ninguna demora de escritura
  • No volatilidad instantánea
  • No se requiere capacitor ni batería
  • Duración de lectura/escritura con ciclo de 1014
  • No requiere nivel de desgaste
  • Tan solo 300 µA de corriente activa y 6 µA de corriente de espera
  • Tolerancia de radiación gamma intrínseca
  • Retención de datos durante 20 años
  • Opciones de voltaje: 3.3 V, 5 V, 2.0 V a 5.5 V (ancho)
  • Grados de temperatura automotriz e industrial
  • Grado 1 y 3 de AEC-Q100 disponibles
  • Medición
  • Automatización industrial e informática
  • Electrónica y sensores automotrices
  • Dispositivos de punto de venta
  • Dispositivos médicos portátiles
  • Impresoras multifunción
  • Controladores lógicos programables
  • Sistemas de prueba y medición

Serial F-RAM

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponible
FM25L04B-G datasheet linkIC FRAM 4KBIT 20MHZ 8SOICFM25L04B-GIC FRAM 4KBIT 20MHZ 8SOIC13459 - Inmediata
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CY15B104Q-SXI datasheet linkF-RAM MEMORYCY15B104Q-SXIF-RAM MEMORY2141 - Inmediata
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CY15B104Q-LHXI datasheet linkF-RAM MEMORYCY15B104Q-LHXIF-RAM MEMORY1148 - Inmediata
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FM25040B-GA datasheet linkIC FRAM 4KBIT 14MHZ 8SOICFM25040B-GAIC FRAM 4KBIT 14MHZ 8SOIC226 - Inmediata
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ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónUso principalCircuito integrado utilizado/piezaCantidad disponible
CY15FRAMKIT-001 datasheet linkSERIAL F-RAM DEV KITCY15FRAMKIT-001SERIAL F-RAM DEV KITMemoria, FRAMFM24W256, FM25W25611 - Inmediata
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Publicado: 2013-05-16