Transistor de radar de banda S serie CGHV35400F

Cree ofrece sus transistores HEMT de GaN de 400 W, 2.9 – 3.5 GHz y 50 V para sistemas de radar de banda S.

Imagen del transistor de radar de banda S CGHV35400F de Cree IncEl CGHV35400F de Cree es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) y de nitruro de galio diseñado especialmente para capacidades de ganancia alta, amplio ancho de banda y alta eficiencia. Por este motivo, CGHV35400F es ideal para las aplicaciones del amplificador de radar de banda S de 2.9 - 3.5 GHz. El transistor se suministra en un paquete de brida de cerámica y metal, tipo 440210.

Características
  • Funcionamiento de 2.9 a 3.5 GHz
  • 400 W de potencia de salida típica
  • Ganancia de potencia de 10.5 dB
  • Eficiencia de drenaje típica de 60%
  • 50 ohmios igualados internamente
  • < 0.3 dB de caída de amplitud pulsada
CGHV35400F S-Band Radar Transistors
ImageNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponibleComprar ahora
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Publicado: 2014-04-08