Transistor de banda S serie CGHV35150F

Cree ofrece sus transistores HEMT de GaN de 150 W, 2.9 – 3.5 GHz y 50 V para sistemas de radar de banda S.

Imagen del transistor de radar de banda S CGHV35150F de Cree IncEl CGHV35150 de Cree es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) y de nitruro de galio diseñado especialmente para capacidades de ganancia alta, amplio ancho de banda y alta eficiencia. Por este motivo, CGHV35150 es ideal para las aplicaciones del amplificador de radar de banda S de 2.9 - 3.5 GHz. El transistor se suministra en un paquete de brida y cápsula de cerámica y metal.

Características
  • Potencia nominal = 150 W a TCASE = 85 °C
  • Frecuencia de funcionamiento = 2.9 - 3.5 GHz
  • Transitorios en 100 µs - 300 µs al 20%
  • Ganancia de potencia de 13.5 dB en TCASE = 85 °C
  • Eficiencia de drenaje típica del 50% en TCASE
  • Entrada compatible
  • < 0.3 dB de caída de amplitud pulsada
CGHV35150F S-Band Radar Transistors
ImageNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponibleComprar ahora
FET RF GAN HEMT 150WCGHV35150FFET RF GAN HEMT 150W26 - Inmediata
TEST FIXTURE FOR CGHV35150FCGHV35150-TBTEST FIXTURE FOR CGHV35150F2 - Inmediata
English  |  Español
Publicado: 2014-04-08