MOSFET de drenaje común de AOS

Alpha and Omega Semiconductors ofrecen los MOSFET dobles AON6810, AON6812 y AOC4810.

Imagen de los MOSFET de drenaje común AOS de Alpha and Omega SemiconductorAlpha and Omega ofrece la familia de MOSFET doble en la configuración de drenaje común tanto en paquetes DFN 5 x 6 como en Micro-DFN 3.2 x 2. Estos dispositivos son aptos para aplicaciones de paquete de batería donde dos MOSFET de canal N están conectados consecutivamente para carga y descarga seguras, y protección del voltaje. Los productos ofrecen un RSS (resistencia de fuente a fuente) ultra baja inferior a 10 mΩ a un impulso de compuerta de 10 V. Los dispositivos AON6810, AON6812 y AOC4810 proporcionan soluciones ideales para mejorar el rendimiento del paquete de batería en la última generación de Ultrabooks y tabletas, donde la baja pérdida de conducción es imprescindible para optimizar la duración de la batería.

Los dispositivos AON6810, AON6812 y AOC4810 utilizan tecnología AlphaMOS para alcanzar una RDS(ON) muy baja además de una protección EDS de 4 kV para aumentar la seguridad del paquete de batería. Los dispositivos AON6810 y AON6812 utilizan un paquete DFN 5 x 6 de base expuesta para ofrecer capacidad térmica mejorada. AON6812 ofrece una baja resistencia RSS total máx. de 8 mΩ a un impulso de 10 V. Clasificado con un voltaje de avalancha de 30 V, tiene capacidad de carga y descarga de una batería de ordenador portátil con la menor cantidad de disipación de calor y pérdida de energía. El AON6810 proporciona un nivel adicional de protección mediante un diodo de detección de temperatura interna que proporciona información térmica de primera mano al CI de control de la batería. Mediante el uso de clavijas de detección de temperatura del AON6810, los diseñadores pueden controlar con precisión la condición térmica de los MOSFET en tiempo real para evitar cualquier sobrecalentamiento anormal.

Para satisfacer la demanda de los paquetes de baterías ultra delgadas, el AOC4810 aprovecha el innovador paquete Miro-DFN de AOS, el cual cuenta con un perfil ultra bajo de solo 0.4 mm. A diferencia de los CSP (embalaje a escala chip) convencionales, el Micro-DFN elimina el riesgo de los chip de molde al encapsular el silicio para proporcionar protección completa al molde además de proporcionar excelente aislamiento contra la humedad. Cuando el espacio en placa es una preocupación fundamental, el AOC4810 ofrece una excelente opción para aumentar la densidad de potencia. Con una dimensión de sólo 3.2 mm x 2 mm, AOC4810 ofrece un nivel máximo de RSS de 8.8 mΩ para minimizar la pérdida de conducción y la disipación de calor.

Características y beneficios AON6810
  • Tecnología Trench Power AlphaMOS (αMOS LV)
  • RDS (ON) muy baja a 4.5 V VGS
  • Baja carga de compuerta
  • Protección contra descargas electrostáticas
  • Cumple con la directiva RoHS y no contiene halógeno
  • Drenaje común
  • Diodo integrado para detección de temperatura


AOS Common-Drain MOSFETs
ImageNúmero de pieza del fabricanteDescripciónTipo FETCaracterística de FETCantidad disponibleComprar ahora
MOSFET 2N-CH 8-DFNAOC4810MOSFET 2N-CH 8-DFN2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico2990 - Inmediata
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFNAON6812MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico1914 - Inmediata
MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFNAON6810MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico2800 - Inmediata
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Publicado: 2014-04-04